Tulosta Tulosta Lähetä linkki Bookmark and Share

Suomalaistutkijat selvittävät ALD-ohutkalvojen mekaaniset ominaisuudet

14.05.2012


ALD-teknologian hyödyntäminen noin 7 miljardin dollarin mikromekaanisten MEMS-anturien markkinoilla on vasta aluillaan. Merkittäviä läpimurtoja on odotettavissa. Tekesin MECHALD-projektissa selvitetään MEMS-komponenttien valmistuksessa käytettävien ohutkalvojen mekaanisia ominaisuuksia.

Atomikerroskasvatuksella (ALD, atomic layer deposition) voidaan valmistaa tasaisia ja korkealaatuisia 3D-ohutkalvoja nanometrin osien paksuusresoluutiolla. Tekniikkaa käytetään useissa teollisissa sovelluksissa, esimerkiksi elektroluminesenssinäytöissä sekä mikroprosessien ja DRAM-muistien valmistuksessa.

MEMS-komponenttien suunnittelussa ja valmistuksessa ohutkalvojen mekaaniset ominaisuudet, kuten kovuus, kimmokerroin ja jännitys, ovat tärkeässä roolissa. VTT, Aalto-yliopisto ja Jyväskylän yliopisto selvittävät VTT:n koordinoimassa MECHALD-tutkimusprojektissa MEMS- ja kiekkosovelluksiin tähtäävien ALD-ohutkalvojen mekaanisia ominaisuuksia. Erittäin ohuiden ALD-kalvojen mittaus edellyttää monitieteistä lähestymistapaa ja sen vuoksi projektissa yhdistetään seitsemän tutkimusryhmän osaamista.

Vuonna 2014 päättyvän MECHALD-projektin budjetti on 2,2 miljoonaa euroa. Pääosin Tekesin rahoittamassa projektissa on mukana suomalaista teollisuutta mukaan lukien kaikki merkittävät suomalaiset ALD-laitevalmistajat: ASM Microchemistry Oy, Beneq Oy, Okmetic Oyj, Oxford Instruments Analytical Oy, Picosun Oy, VTI Technologies Oy. Projekti liittyy Helsingin yliopiston johtamaan Suomen Akatemian atomikerroskasvatuksen huippuyksikköön, johon VTT osallistuu partnerina.


Lisätietoja

Riikka Puurunen
Erikoistutkija
020 722 6621

 

 

Lisätietoja

Riikka Puurunen
Erikoistutkija
020 722 6621