Lähetä linkki
Suomalaistutkijat selvittävät ALD-ohutkalvojen mekaaniset ominaisuudet
14.05.2012
ALD-teknologian hyödyntäminen noin 7 miljardin dollarin mikromekaanisten MEMS-anturien markkinoilla on vasta aluillaan. Merkittäviä läpimurtoja on odotettavissa. Tekesin MECHALD-projektissa selvitetään MEMS-komponenttien valmistuksessa käytettävien ohutkalvojen mekaanisia ominaisuuksia.
Atomikerroskasvatuksella (ALD, atomic layer deposition) voidaan valmistaa
tasaisia ja korkealaatuisia 3D-ohutkalvoja nanometrin osien
paksuusresoluutiolla. Tekniikkaa käytetään useissa teollisissa sovelluksissa,
esimerkiksi elektroluminesenssinäytöissä sekä mikroprosessien ja DRAM-muistien
valmistuksessa.
MEMS-komponenttien suunnittelussa ja
valmistuksessa ohutkalvojen mekaaniset ominaisuudet, kuten kovuus,
kimmokerroin ja jännitys, ovat tärkeässä roolissa. VTT, Aalto-yliopisto ja
Jyväskylän yliopisto selvittävät VTT:n koordinoimassa
MECHALD-tutkimusprojektissa MEMS- ja kiekkosovelluksiin tähtäävien
ALD-ohutkalvojen mekaanisia ominaisuuksia. Erittäin ohuiden ALD-kalvojen
mittaus edellyttää monitieteistä lähestymistapaa ja sen vuoksi projektissa
yhdistetään seitsemän tutkimusryhmän osaamista.
Vuonna
2014 päättyvän MECHALD-projektin budjetti on 2,2 miljoonaa euroa. Pääosin
Tekesin rahoittamassa projektissa on mukana suomalaista teollisuutta mukaan
lukien kaikki merkittävät suomalaiset ALD-laitevalmistajat: ASM Microchemistry
Oy, Beneq Oy, Okmetic Oyj, Oxford Instruments Analytical Oy, Picosun Oy, VTI
Technologies Oy. Projekti liittyy Helsingin yliopiston johtamaan Suomen
Akatemian atomikerroskasvatuksen huippuyksikköön, johon VTT osallistuu
partnerina.